半導(dǎo)體
WFD22Z手動(dòng)脈沖共晶機(jī)
產(chǎn)品特點(diǎn)
高位置精度 ： 貼裝精度±1.5μm(標(biāo)準(zhǔn)片） ， 重復(fù)精度±0. 5μm ，支持亞微米級光通器件高密度鍵合；
高力控精度 ： 壓力范圍0. 1 -50N ，控制精度±0. 1 N ，適配激光器芯片 、硅光芯片等超薄/異形器件；
高溫控精度： 溫控精度±0. 5 ℃ , 溫度均勻性±1. 5 ℃ ;
產(chǎn)品介紹
規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品優(yōu)勢：
● 高位置精度 ： 貼裝精度±1.5μm(標(biāo)準(zhǔn)片） ， 重復(fù)精度±0. 5μm ，支持亞微米級光通器件高密度鍵合；
●高力控精度 ： 壓力范圍0. 1 -50N ，控制精度±0. 1 N ，適配激光器芯片 、硅光芯片等超薄/異形器件；
●高溫控精度： 溫控精度±0. 5 ℃ , 溫度均勻性±1. 5 ℃ ;
●共晶模塊采用脈沖加熱方式，多段溫控， 實(shí)時(shí)監(jiān)控動(dòng)態(tài)補(bǔ)償， 支持快速升溫（10℃/s）與精準(zhǔn)降溫（ 5 ℃/s ） ，避免熱沖擊導(dǎo)致的材料變形；
●適用材料與兼容性： 支持金錫（AuSn）、銀漿 、 環(huán)氧膠等多種鍵合材料 ，兼容陶瓷基板 、硅基板 、玻璃基板。
應(yīng)用領(lǐng)域：
適用于研發(fā)及實(shí)驗(yàn)室端的光通芯片 、激光雷達(dá) 、射頻 、 功率 、 圖像傳感 、 MEMS等領(lǐng)域的高精度鍵合/堆疊。
| 項(xiàng)目 | WFD22Z | |
| 貼裝工藝 | 膠工藝 ， 共晶 | |
| 機(jī)器性能 | XY位置精度 | ±1.5μm |
| 角度精度 | ±0 . 3° | |
| 芯片處理能力 | 芯片大小 | 最小100μm ，華夫盒/凝膠盒上料,其他范圍可定制 |
| 基板處理能力 | 基板尺寸 | 50-200mm,其他范圍可定制 |
| 工作行程 | X軸 | 400 mm |
| Y軸 | 200mm | |
| Z軸 | 100mm | |
| 共晶平臺加熱 | 加熱方式 | 脈沖加熱 |
| 溫控精度 | 溫控精度±0.5℃ 溫度均勻性±1.5℃ | |
| 溫度范圍 | 室溫-450℃ | |
| 邦頭加熱（選配） | 溫度范圍 | 室溫-450℃ |
| 力控能力 | 壓力范圍 | 0. 1 -50N |
| 控制精度 | 0. 1 N | |
| 機(jī)器尺寸和重量 | 尺寸 | 1000x 1000 x 1400 mm （不含顯示器 、 三色燈及FFU） |
| 重量 | ≈300 Kg | |
上一個(gè)產(chǎn)品： WFD18H-EB高精度共晶機(jī)
下一個(gè)產(chǎn)品： 無
40088-69-269